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onsemi NGTB25N120SWG
| Artikelnummer: | NGTB25N120SWG |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 25A 1200V TO-247 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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onsemi NGTB25N120SWG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NGTB25N120SWG.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 25A Testbedingung 600V, 25A, 10Ohm, 15V Td (ein / aus) bei 25 ° C 87ns/179ns Schaltenergie 1.95mJ (on), 600µJ (off) Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 154 ns Leistung - max 385 W Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Through Hole Eingabetyp Standard IGBT-Typ Trench Gate-Ladung 178 nC Strom - Collector Pulsed (Icm) 100 A Strom - Kollektor (Ic) (max) 50 A Grundproduktnummer NGTB25 NGTB25N120SWG Einzelheiten PDF [English] NGTB25N120SWG PDF - EN.pdf -
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